Pouvwa | Freq.range | Dimansyon (mm) | Valè atenuateur (Db) | Substra | Manch rad materyèl | Fèy Done | |
φ | L | ||||||
2 | DC-12.4 | 7.15 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | Al2O3 | Al (oksidasyon) | RFTXXA-02TA7265-12.4 |
DC-18.0 | 5.4 | 3.2 | 01-10 | Al2O3 | Cu (ajan plating) | RFTXXA-02TA5432-18 | |
DC-18.0 | 5.4 | 6.4 | 15,20,25,30 | Al2O3 | Cu (ajan plating) | RFTXXA-02TA5465-18 | |
5 | DC-12.4 | 7.15 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | BEO | Al (oksidasyon) | RFTXX-05TA7265-12.4 |
DC-18.0 | 5.5 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | BEO | Al (oksidasyon) | RFTXX-05TA5565-18 | |
7.15 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | BEO | Al (oksidasyon) | RFTXX-05TA7265-18 | ||
10 | DC-6.0 | 7.4 | 11.8 | 01-10,15,20,25,30,40 | Aln | Al (oksidasyon) | RFTXXN-10TA7412-6 |
7.4 | 15.9 | 01-10,15,20,25,30,40 | Aln | Al (oksidasyon) | RFTXXN-10TA7416-6 | ||
14.0 | 12.9 | 01-10,15,20,25,30,40 | Aln | Al (oksidasyon) | RFTXXN-10TA1413-6 | ||
DC-12.4 | 7.15 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | BEO | Al (oksidasyon) | RFTXX-10TA7265-12.4 | |
DC-18.0 | 7.35 | 10.2 | 01-10,15,20,25,30,40,50 | BEO | Al (oksidasyon kondiktè) | RFTXX-10TA7310-18 | |
20 | DC-6.0 | 7.4 | 22.9 | 01-10,15,20,25,30,40,50 | Aln | Al (oksidasyon) | RFTXXN-20TA7423-6 |
DC-10.0 | 14.0 | 19.2 | 01-10,15,16.5,20,25,26.5,30,40,50 | BEO | Al (oksidasyon kondiktè) | RFTXX-20TA1419-10 | |
DC-18.0 | 7.35 | 22.2 | 01-10,15,20,25,30,40,50,60 | BEO | Al (oksidasyon kondiktè) | RFTXX-20TA7322-18 | |
30 | DC-10.0 | 14.0 | 32.2 | 01-10,15,20,25,30,40,50,60 | BEO | Al (oksidasyon kondiktè) | RFTXX-30TA1432-10 |
50 | DC-6.0 | 14.0 | 40.2 | 01-10,15,16.5,20,25,30,40,50,60 | BEO | Al (oksidasyon kondiktè) | RFTXX-50TA1440-6 |
DC-8.0 | 14.0 | 40.2 | 01-10,15,16.5,20,25,30,40,50,60 | BEO | Al (oksidasyon kondiktè) | RFTXX-50TA1440-8 |
Sa a chip atenuasyon kalite manch se yon eleman enpòtan nan yon atenuateur kowaksyal fiks yo. Chwazi gwosè ki koresponn lan ki baze sou frekans diferan ak kondisyon pouvwa. Ajoute yon gwosè chalè apwopriye koule nan li epi li rasanble li nan atenuateur a kowaksyal obligatwa nan konektè.
Konpayi nou an bay ak vann bato atenuasyon manch rad ak pouvwa sòti nan 2W a 50W, ki gen ladan souvan itilize 3 G, 6g, 8g, 12.4g, ak frekans 18g. Itilizatè yo ka chwazi selon pwòp bezwen yo. Si pwodwi ki nan tablo ki anwo a pa ka satisfè bezwen ou yo, ou ka kontakte tou pèsonèl lavant nou yo bay enfòmasyon detaye sou kondisyon ou pou personnalisation espesyal.
Chip atenuasyon kalite atenuasyon refere a yon chip atenuasyon microstrip espiral ak yon valè diminisyon espesifik eleman nan yon tib sikilè metal nan yon gwosè espesifik (se tib la jeneralman te fè nan materyèl aliminyòm ak mande pou oksidasyon kondiktè, epi yo ka tou plake ak lò oswa ajan jan sa nesesè).
Materyèl yo itilize pou atenuasyon bato sitou gen ladan alumina, aliminyòm nitrid, ak beryllium oksid seramik substrats. Seleksyon an nan materyèl substrate ak gwosè se sitou ki baze sou frekans ki nesesè yo ak pouvwa pou seleksyon konsepsyon.
Konpayi nou an sitou entwodwi sa a manch kalite atenuasyon chip fasilite seleksyon kliyan ak asanble itilize. Li elimine bezwen pou kliyan yo Redesign ak pwosesis manch rad la apre achte yon chip sèl, ekonomize tan ak pri.
Sa a chip atenuasyon kalite manch se yon eleman enpòtan nan yon atenuateur kowaksyal fiks yo. Chwazi gwosè ki koresponn lan ki baze sou frekans diferan ak kondisyon pouvwa. Ajoute yon gwosè chalè apwopriye koule nan li epi li rasanble li nan atenuateur a kowaksyal obligatwa nan konektè.
Konpayi nou an bay ak vann bato atenuasyon manch rad ak pouvwa sòti nan 2W a 50W, ki gen ladan souvan itilize 3 G, 6g, 8g, 12.4g, ak frekans 18g. Itilizatè yo ka chwazi selon pwòp bezwen yo. Si pwodwi ki nan tablo ki anwo a pa ka satisfè bezwen ou yo, ou ka kontakte tou pèsonèl lavant nou yo bay enfòmasyon detaye sou kondisyon ou pou personnalisation espesyal.