Pouvwa | Freq.Range | Dimansyon (mm) | Valè atenuateur (dB) | Substra | Materyèl manch | Fèy Done | |
φ | L | ||||||
2 | DC-12.4 | 7.15 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | Al2O3 | Al (oksidasyon) | RFXXA-02TA7265-12.4 |
DC-18.0 | 5.4 | 3.2 | 01-10 | Al2O3 | Cu (Plaking Silver) | RFXXA-02TA5432-18 | |
DC-18.0 | 5.4 | 6.4 | 15,20,25,30 | Al2O3 | Cu (Plaking Silver) | RFXXA-02TA5465-18 | |
5 | DC-12.4 | 7.15 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | BeO | Al (oksidasyon) | RFTXX-05TA7265-12.4 |
DC-18.0 | 5.5 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | BeO | Al (oksidasyon) | RFTXX-05TA5565-18 | |
7.15 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | BeO | Al (oksidasyon) | RFTXX-05TA7265-18 | ||
10 | DC-6.0 | 7.4 | 11.8 | 01-10,15,20,25,30,40 | AlN | Al (oksidasyon) | RFXXN-10TA7412-6 |
7.4 | 15.9 | 01-10,15,20,25,30,40 | AlN | Al (oksidasyon) | RFXXN-10TA7416-6 | ||
14.0 | 12.9 | 01-10,15,20,25,30,40 | AlN | Al (oksidasyon) | RFXXN-10TA1413-6 | ||
DC-12.4 | 7.15 | 6.5 | 01-10,15,20,25,30 | BeO | Al (oksidasyon) | RFTXX-10TA7265-12.4 | |
DC-18.0 | 7.35 | 10.2 | 01-10,15,20,25,30,40,50 | BeO | Al (oksidasyon kondiktif) | RFTXX-10TA7310-18 | |
20 | DC-6.0 | 7.4 | 22.9 | 01-10,15,20,25,30,40,50 | AlN | Al (oksidasyon) | RFXXN-20TA7423-6 |
DC-10.0 | 14.0 | 19.2 | 01-10,15,16.5,20,25,26.5,30,40,50 | BeO | Al (oksidasyon kondiktif) | RFTXX-20TA1419-10 | |
DC-18.0 | 7.35 | 22.2 | 01-10,15,20,25,30,40,50,60 | BeO | Al (oksidasyon kondiktif) | RFTXX-20TA7322-18 | |
30 | DC-10.0 | 14.0 | 32.2 | 01-10,15,20,25,30,40,50,60 | BeO | Al (oksidasyon kondiktif) | RFTXX-30TA1432-10 |
50 | DC-6.0 | 14.0 | 40.2 | 01-10,15,16.5,20,25,30,40,50,60 | BeO | Al (oksidasyon kondiktif) | RFTXX-50TA1440-6 |
DC-8.0 | 14.0 | 40.2 | 01-10,15,16.5,20,25,30,40,50,60 | BeO | Al (oksidasyon kondiktif) | RFTXX-50TA1440-8 |
Chip atténuation kalite manch rad sa a se yon eleman enpòtan nan yon atenuateur fiks coaxial.Chwazi gwosè ki koresponn lan ki baze sou diferan frekans ak kondisyon pouvwa.Ajoute yon koule chalè gwosè apwopriye nan li epi rasanble li nan atenuateur kowaksyal ki nesesè nan konektè.
Konpayi nou an bay ak vann bato atenuasyon manch rad ak pouvwa sòti nan 2W a 50W, ki gen ladan souvan itilize frekans 3G, 6G, 8G, 12.4G, ak 18G.Itilizatè yo ka chwazi selon pwòp bezwen yo.Si pwodwi yo nan tablo ki anwo a pa ka satisfè bezwen ou yo, ou ka kontakte pèsonèl lavant nou an pou bay enfòmasyon detaye sou kondisyon ou yo pou personnalisation espesyal.
Chip atténuation kalite manch refere a yon chip atenuasyon mikrostrip espiral ak yon valè atenuasyon espesifik mete nan yon tib sikilè metal nan yon gwosè espesifik (tib la jeneralman fèt ak materyèl aliminyòm epi li mande pou oksidasyon kondiktif, epi li ka tou plake ak lò oswa ajan kòm nesesè).
Materyèl yo itilize pou bato atenuasyon sitou gen ladan alumina, nitrure aliminyòm, ak oksid beryllium substrats seramik.Seleksyon an nan materyèl substra ak gwosè se sitou ki baze sou frekans ki nesesè yo ak pouvwa pou seleksyon konsepsyon.
Konpayi nou an sitou prezante chip atténuation kalite manch rad sa a pou fasilite seleksyon kliyan ak itilizasyon asanble.Li elimine bezwen pou kliyan yo redesign ak trete manch rad la apre yo fin achte yon sèl chip, ekonomize tan ak pri.
Chip atténuation kalite manch rad sa a se yon eleman enpòtan nan yon atenuateur fiks coaxial.Chwazi gwosè ki koresponn lan ki baze sou diferan frekans ak kondisyon pouvwa.Ajoute yon koule chalè gwosè apwopriye nan li epi rasanble li nan atenuateur kowaksyal ki nesesè nan konektè.
Konpayi nou an bay ak vann bato atenuasyon manch rad ak pouvwa sòti nan 2W a 50W, ki gen ladan souvan itilize frekans 3G, 6G, 8G, 12.4G, ak 18G.Itilizatè yo ka chwazi selon pwòp bezwen yo.Si pwodwi yo nan tablo ki anwo a pa ka satisfè bezwen ou yo, ou ka kontakte pèsonèl lavant nou an pou bay enfòmasyon detaye sou kondisyon ou yo pou personnalisation espesyal.